SVT公司的气体入射源是为气体源分子束外延（GSMBE）设计的。

SVTA-APH3-GCS入射源用于裂解砷化氢和磷化氢以进行高质量的III-V材料生长。

源采用单灯丝加热，双气体管炉提高气体裂解的效率。

它还采用一系列光阑板(aperture plates)满足客户对裂解性能的要求。

热裂解区由高纯PBN材料和钽材料制作的。其在**温度下也可提供超高纯环境。

完整的气体入射源系统还包括具有较大压力的气体传输系统。

为提高束流分布均一性，可定制源长度。

典型应用

用于III-V材料系统

具有很高的气体裂解能力

先进的气体操作系统

温度150 ^oC-1，300 ^oC

MFC/自动束流控制